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英飛凌推出采標準至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET

英飛凌推出采標準至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET

作者:netwing    發布時間:2006-02-14    瀏覽次數:

英飛凌宣布推出采用TO無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的系列產品新型40V的OptiMOS?T2的MOSFET TO - 262以及T2系列產品的量產已準備就緒。

英飛凌的MOSFET的新系列產品超越了現? 薘oHS指令對于含鉛焊錫封裝的規范,更嚴格的ELV符合RoHS標準可能將于2014年施行,屆時將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝MOSFET的,英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

英飛凌推出至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的新型40V的OptiMOS?T2的MOSFET

英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環保之MOSFET,協助客戶開發節能的“綠色”產品。

英飛凌專利的無鉛黏晶(芯片粘接) 175μm),為功率半導體提供多項改良:

· 環保的技術:不使用線索及其他有毒物質。

· 擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓制程:大幅降低封裝的導通電阻值的RDS(on)。

· 熱阻(RthJC)改善率高達40 - 50%:傳統的軟線索焊料的熱傳導能力不佳,阻礙了MOSFET的接面之散熱。

· 其他優點還包括:由于沒有焊錫流量跡(出血)及晶片傾斜(芯片tiltness)的問題,以及更收斂的RDS(ON)與RthJC

從新款的OptiMOS T2 40V(如:IPB160N04S4 - 02D,160A)的規格產品得知,其RDS(ON)僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標準線索焊接的同類產品,其導通電阻降低了約20%的OptiMOS T2的產品擁有同級產品中最佳效能。

上市時間

OtpiMOS T2為業界率先采用至無鉛封裝的車用電源的MOSFET的,系列產品包括IPB160N04S4 - 02D(160A,TO - 263封裝),IPB100N04S4 - 02D(100A,TO - 263),IPP100N04S4 - 03D(100A,TO - 220 )以及IPI100N04S4 - 03D(100A,TO - 262)皆已上市。

本文來源:國際電子商情網

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